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PRODUCTS CNTER当前位置:首页·必发·产品中心C系列气相沉积炉CVD/PECVD系统化学气相沉积炉(CVD系统)
这款CVD系统集真空管式炉,多通道气路系统和真空系统组成,可根据用户需要设计生产(有双温区、三温区、多温区),可预抽真空(有高真空、低真空),通多种气氛(供气系统有质子流量器和浮子流量控制器)。性能可靠。控制电路选用模糊PID程控技术,具有控温精度高,温冲幅度小,性能可靠,简单易操作等特点。
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高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的设备,广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。
CVD系统
二、·必发·产品特点
高真空CVD系统主要由高温腔体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。
1、沉底材料可采用铜箔、石墨等;
2、生长腔体采用进口高纯石英管,配石英支架、为石墨烯等材料的生长提供洁净环境;
3、炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维,不易掉粉、寿命长且保温性能好。加热丝采用优质掺钼铁铬铝合金加热丝,温场均匀,能耗低;
4、密封法兰均采用不锈钢材质,配水冷套,可连续长时间工作;
5、气路系统采用两路质量流量计(可拓展多路),配预混系统;
6、气体种类: He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6;
7、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制,通过PC实时控制和显示相关的实验参数,自动保存实验参数,也可采用手动控制;
8、系统采用集成化设计,控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部,占地面积小。整体安装四个可移动轮子,方便整体移动。
三、技术参数
型号
|
HTF1200-2.5/20-2F-LV |
HTF1200-5/20-4F-HV |
HTF1200-6/40-2M-LV
|
HTF1200-8/40-4M-HV
|
设计温度(℃) |
1200
|
1200
|
1200
|
1200
|
控温精度(℃) |
±1
|
±1
|
±1
| ±1 |
加热区直径(mm) |
25
|
50
|
60
|
80
|
加热区长度(mm) |
200
|
200
|
400
|
400
|
加热管长度(mm) |
450
|
450
|
1000
|
1000
|
恒温区长度(mm) |
80
|
80
|
150
|
150
|
额定电压(V) |
220
|
220
|
220
|
220
|
额定功率(KVA) |
1.2
|
1.2
|
3
|
3
|
真空机组 |
HTF-101
|
HTF-103
|
HTF-101
|
HTF-103
|
供气系统 |
HTF-2F
|
HTF-4F
|
HTF-2M
|
HTF-4M
|